半导体装置和装备.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约4.05万字
  • 约 38页
  • 2023-10-21 发布于四川
  • 举报
在本发明中,包括在半导体层11中的第一元素与包括在半导体层21中的第二元素不同,并且包括在源极电极13中的第三元素与包括在栅极电极22中的第四元素相同。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116918075 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202280019241.3 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档