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新型电阻式存储器的制备与性能研究的中期报告 中期报告： 一、研究背景 随着电子信息技术的持续发展，存储器的性能要求越来越高，尤其是在高速读写和存储密度方面的要求。传统的存储器技术已经趋于瓶颈，需要新的存储器技术来满足需求。新型电阻式存储器以其高密度、低功耗、非易失性等优势成为了研究的热点。 二、研究目的 本研究主要目的是制备新型电阻式存储器，并对其性能进行研究。通过改变材料的组成、制备方法、工艺等方面，优化存储器的性能。 三、研究方法 1．制备材料：使用溶胶-凝胶法制备铁酸锶（SrFeO3-δ）薄膜，采用磁控溅射法制备氧化铌（Nb2O5）薄膜。 2．制备结构：制备纳米级别的铁酸锶/Nb2O5异质结构，采用射线衍射和透射电镜等技术进行结构表征。 3．性能测试：采用四探针测试仪、电极化学分析、热分析等技术对存储器的电阻、非易失性、电容、存储速度等进行测试。 四、研究进展 1．成功制备铁酸锶/Nb2O5异质结构，结构优良，薄膜厚度均匀，界面清晰，晶格匹配良好。 2．通过改变铁酸锶中的氧缺陷和掺杂的离子种类等，优化了存储器的非易失性和电阻。 3．发现铁酸锶/Nb2O5异质结构具有良好的电容性能，可以用于电容存储器的制备。 五、下一步工作 1．进一步研究铁酸锶的氧缺陷和掺杂的离子对存储器性能的影响。 2．探究铁酸锶/Nb2O5异质结构的存储速度、可靠性等性能，并进行比较分析。 3．构建电容存储器并优化性能。