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- 2023-10-21 发布于四川
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本发明提供一种增大HVPMOSID的工艺方法，在P型基底上形成NWELL区；在P型基底上自下而上依次形成二氧化硅层、氮化硅层；刻蚀氮化硅层并露出二氧化硅层，形成窗口；通过窗口在NWELL浅区域注入硼离子，之后在氮气和氧气的氛围中进行推进，形成NWI区；在窗口的界面处形成隔离区。本发明在形成NWI进行硼离子注入后，将原有的氮气氛围的推进过程改为在氮气和氧气氛围中进行推进，使得硼离子在二氧化硅中的扩散系数增大，使硼离子浓度梯度发生变化，从而使得HVPMOS的ID得以增加，并且对其他参数的影响甚微。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110752154 A
(43)申请公布日
2020.02.04
(21)申请号 20191
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