模拟电子电路基础答案第四章答案.docxVIP

简述耗尽型和增强型 MOS场效应管构造的区别；关于适合的电压偏置（ V0V，VV）， DS GST 画出P沟道增强型MOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道， 连通了源区和漏区， 也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压 V产生 GS 沟道。 随着VSG渐渐增大，栅极下面的衬底表面会聚集越来越多的空穴，当空穴数量达到一准时， 栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，进而形成了一个“新的 P型区”，它连结源区和 漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压 VDS，那么空穴就会沿着新的 P型区定向地从 源区向漏区移动，进而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为 iD。当vSG一定，而vSD持续增 大时，则相应的 vDG减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至 vDG Vt，沟道预夹断，进入 饱和区。电流iD 不再随vSD的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个 N沟道MOSFET，其 kn=?50μA/V 2，t?=?1V，以及 / ?=?10。求下列情况下的 V WL 漏极电流： 1）VGS?=?5V且VDS?=?1V； 2）VGS?=?2V且VDS?=?； 3）VGS?=?且VDS?=?； 4）VGS?=?VDS?=?5V。 (1) 根据条件vGS?Vt