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CIGS薄膜和CdS薄膜的制备和光学带隙的中期报告 经过几个月的研究和实验，我们小组已经取得了一些关于CIGS薄膜和CdS薄膜制备和光学带隙方面的进展。 在CIGS薄膜制备方面，我们采用了磁控溅射法来制备薄膜。我们使用了不同比例的Cu(In,Ga)Se2目标，以改变薄膜中铜、铟和镓的组成。我们通过X射线衍射技术和扫描电子显微镜来分析薄膜的结构和形貌。初步结果表明，我们成功地合成了不同比例的Cu(In,Ga)Se2化合物，并制备出了均匀、致密的CIGS薄膜。 在CdS薄膜制备方面，我们采用了化学浴沉积法来制备薄膜。我们研究了不同CdS厚度、温度和反应时间对薄膜结构和形貌的影响。我们使用了透射电子显微镜和紫外-可见光谱仪来研究CdS薄膜的光学性质和带隙。结果表明，较高的反应温度和较长的反应时间会导致CdS薄膜的结构变差和形貌不均。 关于光学带隙，我们使用了Tauc方法来确定CIGS和CdS薄膜的带隙。通过分析吸收光谱，我们确定了CIGS和CdS薄膜的带隙分别为1.25 eV和2.4 eV。这些结果与之前的报道相符合。 未来，我们计划进一步研究CIGS和CdS薄膜的电学性质和光电性能，并探究它们在太阳能电池中的应用。