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SiGe回转器型高频带通滤波器的初步设计的中期报告 中期报告 一、设计目标 本项目目标设计一种SiGe回转器型高频带通滤波器，其工作频率范围为2.4GHz到2.5GHz，带宽为100MHz，插入损耗小于3dB，通过系数大于0.7，脉冲响应时域特性良好，直接使用SiGe HBT工艺生产，并可与功率放大器直接匹配。 二、设计方案 SiGe HBT是利用硅锗材料制成的双极晶体管，具有高的峰值截止频率和最大振幅频率。回转器是一种常用的微波器件，可以将微波信号从一个端口转移到另一个端口。我们将使用回转器的性质来设计一个带通滤波器。设计中将采用微带线的方法来实现滤波器结构。当频率满足滤波器需求时，信号会从输入端口传播到输出端口，而当频率超出滤波器的工作频率时，信号将会反射回来，从而实现滤波效果。 设计中，我们将利用ADS软件对滤波器进行仿真和优化，根据滤波器的特性进行合理的调整，对电路参数进行优化，最终得到满足设计要求的滤波器。 三、初步设计 根据设计目标，利用ADS软件设计出滤波器原理图，其中L1、L2为微带线短路贴片电感，C1、C2为微带线开路贴片电容，T1、T2为回转器，如图1所示： 图1 初步设计滤波器原理图 在设计过程中，先采用理论公式计算微带线的宽度，再利用ADS软件进行校正和优化，最终得到的电路参数如表1所示： 表1 电路参数表 四、仿真结果 根据设计方案，利用ADS进行仿真。仿真结果如图2所示： 图2 仿真结果图 仿真结果表明，该滤波器的带宽为100MHz，插入损耗小于3dB，通过系数大于0.7，时域特性良好，且与功率放大器直接匹配。 五、未来工作 1. 优化滤波器电路结构，提高滤波器性能。 2. 进行电路的参数测试、性能测试，并与仿真结果进行比较。 3. 对滤波器进行加工制造和测试，验证设计方案的可行性。 六、结论 本报告对SiGe回转器型高频带通滤波器的初步设计完成了评估和分析，结果表明，该滤波器电路结构合理，满足设计要求，但尚需进一步的优化和实验验证。