CCD的基本结构和工作原理.docx

CCD CCD 的基本结构和工作原理 CCD 的基本结构和工作原理 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或电压为信号。CCD 的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD 工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 CCD 有两种基本类型：一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输， 这类器件称为表面沟道CCD（简称SCCD）；二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输，这类器件称为体沟道或埋沟道器件（简称BCCD）。下面以SCCD 为主讨论CCD 的基本工作原理。 CCD 的基本结构 构成CCD 的基本单元是MOS（金属—氧化物—半导体）结构。如图2-7(a)所示，它是在 p 型 Si 衬底表面上用氧化的办法生成 1 层厚度约为 1000?～1500? 的 SiO2，再在 SiO2 表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上 1 个偏置电压，就构成 1 个 MOS 电容器。当有 1 束光线投射到MOS 电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入 p 型 Si 衬底， 衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成 电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电 荷。这些信号电荷存储在由电极组成的“势阱”中。如图1 所示。 (b) 图 1 CCD 的基本单元 电荷存储 U U p U如图 2 (a)所示，在栅极G 施加正偏压UG 之前，p 型半导体中空穴（多数载流子）的分布是均匀的。当栅极施加正偏压 （此时 小于 型半导体的阈值电压 U U p U G G th S排斥，产生耗尽区，如图 2 (b)所示。偏压继续增加，耗尽区将进一步向半导体体内延伸。当 UGUth 时，半导体与绝缘体界面上的电势（常称为表面势，用Φ 表示）变得如此之高， 以致于将半导体体内的电子（少数载流子）吸引到表面，形成一层极薄的（约 10-2μｍ）电 S 荷浓度很高的反型层，如图 2 (c)所示。反型层电荷的存在表明了 MOS 结构存储电荷的功能。然而，当栅极电压由零突变到高于阈值电压时，轻掺杂半导体中的少数载流子很少，不能立 即建立反型层。在不存在反型层的情况下，耗尽区将进一步向体内延伸，而且，栅极和衬底 之间的绝大部分电压降落在耗尽区上。如果随后可以获得少数载流子，那么耗尽区将收缩， 表面势下降，氧化层上的电压增加。当提供足够的少数载流子时，表面势可降低到半导体材 料费密能级Φ F 的两倍。例如，对于掺杂为 1015cm-3 的 p 型半导体，费密能级为 0.3V。耗尽 区收缩到最小时，表面势Φ S 下降到最低值 0.6V，其余电压降在氧化层上。 图 2 单个CCD 栅极电压变化对耗尽区的影响 栅极电压为零；(b)栅极电压小于阈值电压；(c)栅极电压大于阈值电压 U 3 4 3表面势Φ 随反型层电荷浓度 Q 、栅极电压 的变化如图 和图 所示。图 中的 U 3 4 3 S INV G 曲线表示的是在掺杂为 1021cm-3 的情况下，对于氧化层的不同厚度在不存在反型层电荷时， 表面势Φ S 与栅极电压UG 的关系曲线。图 为栅极电压不变的情况下，表面势Φ 4S 4 与反型层 电荷浓度Q 的关系曲线。 INV 图 3 表面势与栅极电压UG 的关系（p 型硅杂质浓度 NA＝1021cm－3，反型层电荷 图 4 表面势ΦS  与反型层电荷 0Q＝ ） 0 Q INV 密度QINV 的关系 曲线的直线性好，说明表面势Φ S 与反型层电荷浓度 QINV 有着良好的反比例线性关系。 这种线性关系很容易用半导体物理中的“势阱”概念描述。电子所以被加有栅极电压UG 的 MOS 结构吸引到氧化层与半导体的交界面处，是因为那里的势能最低。在没有反型层电荷 S时，势阱的“深度”与栅极电压UG 的关系恰如Φ S 与 UG 的线性关系，如图 5(a)空势阱的情 S况。图 5(b)为反型层电荷填充 1/3 势阱时，表面势收缩，表面势Φ S 与反型层电荷浓度 Q INV 间的关系如图 2-10 所示。当反型层电荷足够多，使势阱被填满时，Φ 降到 2Φ 。此时， S F 表面势不再束缚多余的电子，电子将产生“溢出”现象。这样，表面势可作为势阱深度的量 G度，而表面势又与栅极电压U 、氧化层的厚度 d G OX 有关，即与 MOS 电容容量 C 与 U 的乘 OX G 积有关。势阱的横截面积取决于栅极电极的面积A。MOS 电容存储信号电荷的容量 Q ? C U OX G A (1) 图 5 势阱 空势阱；(b)填充 1/3 的势阱；(c)全满势阱 电荷耦合 图 6 表示一