基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计.pdfVIP

2021 年 10 月 电 工 技 术 学 报 Vol.36 No. 20 第 36 卷第20 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Oct. 2021 DOI: 10.19595/ki.1000-6753.tces.210260 基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET 驱动设计 1 1 2 1 1 邵天骢 郑琼林 李志君 李 虹 刘建强 （1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044 2. 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 北京 100192 ） 摘要 目前碳化硅（SiC ）MOSFET 大多沿用Si MOSFET