基于SiC MOSFET的同步Buck变换器电磁干扰噪声分析及预测.pdfVIP

2021 年 12 月 电 工 技 术 学 报 Vol.36 Sup.2 第 36 卷增刊2 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Dec. 2021 DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90184 基于SiC MOSFET 的同步Buck 变换器 电磁干扰噪声分析及预测 1 2 2 3 1 成 林 欧 宏 毕 闯 冯思朦 吴经锋 （1. 国网陕西省电力公司电力科学研究院 西安 710054 2. 电子科技大学航空航天学院/ 飞行器集群智能感知与协同控制四川省重点实验室 成都 611731 3. 国网陕西送变电工程有限公司 西安 710000 ） 摘要 碳化硅（SiC ）MOSFET 相比于传统的硅型 MOSFET ，具有更高的工作结温和更大的 功率密度。但由于其更快的开关速度以及电路中存在的寄生参数，SiC MOSFET 的输出波形会产 生很大的开关振荡。该文基于开关过程的等效模型，建立分析模型以计算同步 Buck 变换器开关 波形的频谱以及相应的频谱边界。通过将实验结果与数值计算结果进行比较，准确地预测出开关 波形频谱的边界，并且发现，SiC MOSFET 的寄生参数对高频成分含量及其边界具有明显的影响。 关键词：碳化硅MOSFET 寄生参数 频谱 频谱边界 中图分类号：TM46 Analysis and Prediction of Electromagnetic Interference Noise in Synchronous Buck Converter with SiC MOSFET Cheng Lin1 Ou Hong2 Bi Chuang2 Feng Simeng3 Wu Jingfeng 1 （1. State Grid Shaanxi Electric Power Research Institute of Electric Power Xi’an 710054 China 2. School of Aeronautics and Astronautics/Aircraft Swarm Intelligent Sensing and Cooperative Control Key Laboratory of Sichuan Province University of Electronic and Technology of China Chengdu 611731 China 3. State Grid Shaanxi Transmission and Transformation Engineering Co. Ltd Xi’an 710000 China ） Abstract Compared to silicon MOSFETs, silicon carbide (SiC) MOSFETs have higher operating junction temperature and higher power density. However, due to its faster switching speed and parasitic parameters, a large switching oscillation will occur on the output waveform of SiC