模拟电子电路基础-全套PPT课件.pptx

第一章 模拟电子电路导论;主要内容;1.1 信号与电子系统;举例： 方波及其频谱;模拟信号和数字信号;电子系统;1.2 放大器基本概念及模型;放大和放大器;1.2.1 放大器的电路符号;放大器实际连接电路;放大器的增益：;1.2.2 放大器的主要参数;1.2.2 放大器的主要参数;1.2.2 放大器的主要参数;1.2.2 放大器的主要参数;1.2.2 放大器的主要参数;1.2.2 放大器的主要参数;1.2.2 放大器的主要参数;1.3 放大器的频率响应;放大器的带宽：BW(BandWidth);第二章 理想运放及其线性应用;主要内容;运算放大器的电路符号;电压型运放的一般等效电路;定义：差模信号与共模信号;2.1 集成运放理想模型与分析方法;理想运放的等效电路模型;2.2 集成运放线性基本运算电路;线性区工作的理想运放特点;2.2.1 反相组态;反相组态的增益;反相组态的输入电阻;反相组态的输出电阻;2.2.2 同相组态;同相组态的增益;同相组态的输入电阻;同相组态的输出电阻;电压跟随器——同相组态的特例;2.3 其他应用电路;2.3.1 求和电路;2.3.1 求和电路;2.3.2 求差电路; 标准减法电路设计;标准减法电路设计;2.3.3 仪用运算放大器;;2.3.4 积分电路;2.3.4 微分电路;2.4 非理想运放的工作性能;2.4.2 运放的大信号参数;2.4.3 运放的直流参数;第三章 晶体二极管及其基本应用;简介;主要内容;3.1 半导体基础知识;3.1.1 本征半导体;;本征激发;3.1.2 载流子的运动方式及形成的电流;3.1.3 杂质半导体;N型半导体中的几个要点：;3.1.3 杂质半导体;P型半导体中的几个要点：;3.2 PN结及其特性;PN结形成过程;PN结内建电位差;3.2.2 PN结基本特性;3.2.3 PN结的反向击穿现象;3.2.4 PN结电容特性;3.3 晶体二极管;3.3.1 PN结的伏安特性;3.3.2 二极管的主要参数;3.4 晶体二极管应用电路及其分析方法;3.4.1 常规二极管的建模;;;;;;6. 交流小信号模型;3.4.2 图解分析法;;;3.4.3 齐纳二极管的建模;;3.4.4 二极管应用电路分析;例3.1;;二极管双向限幅电路如图3.23所示，要求采用折线模型分析，设二极管的VD(on)?=?0.7V，rD?=?5 W，输入信号为 ，画出输出电压的波形。;2.逻辑电路;3.稳压电路;3.5 特殊二极管;;;;; 4.1.1 N沟道EMOSFET器件结构 4.1.2 N沟道EMOS场效应管的工作原理 4.1.3 N沟道EMOS场效应管特性 4.1.4 P沟道增强型MOSFET特性 4.1.5 耗尽型MOSFET 4.1.6 互补MOS或CMOS 4.1.7 衬底效应;增强型的NMOS(NEMOSFET)的器件结构;增强型的NMOS(NEMOSFET)的器件结构;;;;该图为MOSFET在漏源之间的电压vDS较小时的伏安特性，该器件相当于一个线形电阻，其阻值vGS由控制;小结: 形成导电沟道过程: 当vDS =0, vGS 0时,排斥空穴,吸引电子,衬底表面出现耗尽区； 当vGS慢慢增加时,电子的浓度空穴的浓度,衬底表面形成反型层; 当vGS Vt（ Vt就是形成导电沟道的开启电压），形成导电沟道， vGS越大，沟道电导越大； 当vDS 0时，在导电沟道上出现了从源区向漏区移动的电子形成漏极电流；漏极电流随着漏极电压的上升而上升； ;; 实际导电沟道的最终形成图;该图为增强型NMOS晶体管工作于 Vt 时，漏极电流与漏源电压的关系;;;漏极电流与vDS关系的推导;演示：;;;;;;;;;饱和区;;;;;;;;;;;;;;; 4.2.1 结型场效应管的结构 4.2.2 结型场效应管的工作原理 4.2.3 特性曲线与特征方程 ;;;;;;; 4.3.1 工作点 4.3.2 各种常用偏置电路 4.3.3 直流分析与信号分析分离 4.3.4 场效应管直流电路分析 ; MOSFET放大电路的设计; MOSFET放大电路的工作点;;;;; 直流分析与信号分析的分离; 直流分析与信号分析的分离;;例题;假设管子工作在饱和区：; 4.4.1 场效应管的小信号模型 4.4.2 放大电路的性能指标 4.4.3 放大器的三种组态 4.4.4 共源放大器 4.4.5 接源极电阻的共源放大器 4.4.6 共栅放大器