半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在半导体衬底上形成初始待切割鳍，初始待切割鳍部分延伸至鳍切割区上；在半导体衬底上形成横跨初始待切割鳍的栅极结构，鳍切割区和第一插塞切割区均位于栅极结构的侧部；在半导体衬底和初始待切割鳍上形成覆盖栅极结构侧壁的介质层；刻蚀去除第一插塞切割区上的介质层和鳍切割区上的初始待切割鳍，形成切割开口，且使初始待切割鳍形成位于切割开口侧部的切割鳍；在切割开口中形成切割结构；在栅极结构侧部的介质层中形成第一插塞结构，切割结构在切割鳍的宽度方向上切割第一插塞结构。所述半导体器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112018042 A (43)申请公布日 2020.12.01 (21)申请号 20191