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本发明提供一种能够使具有氧化镓基板的半导体装置中的晶体缺陷难以干涉二极管界面且半导体装置小型化的技术。本发明提供一种半导体装置，其具有氧化镓基板和电极。所述氧化镓基板具有由(100)晶面构成的第一侧面、由(100)晶面之外的面构成的第二侧面、以及上表面。所述电极与所述上表面接触。所述氧化镓基板具有由pn界面或肖特基界面构成的二极管界面、以及经由所述二极管界面与所述电极连接的n型漂移区。所述第一侧面与所述二极管界面之间的最短距离比所述第二侧面与所述二极管界面之间的最短距离短。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111627979 A
(43)申请公布日
2020.09.04
(21)申请号 20201
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