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本发明公开一种电子束辐照掺杂石墨烯的方法及其在辐伏同位素电池中的应用。该电子束辐照掺杂石墨烯的方法,包括步骤:S1、利用化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法在铜基或镍基表面生长石墨烯;S2、利用电子加速器设备对上述铜基或镍基石墨烯表面进行电子束辐照;S3、通过衬底剥离技术,将辐照掺杂后的石墨烯与铜基或镍基衬底分离,从而得到电子束辐照掺杂石墨烯。同时提供一种电子束辐照掺杂石墨烯在辐伏同位素电池中的应用。本发明不仅能实现石墨烯材料半导体性能的有效调控,同时能够保证石墨烯辐伏同位素电池的长期稳定
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116926512 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310913195.8
(22)申请日 2023.07.25
(71)申请人 湖北科技学院
地址 437000
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