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- 2023-10-25 发布于四川
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本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109196624 A
(43)申请公布日
2019.01.11
(21)申请号 20178
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