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本发明提供的改善高温刻蚀工艺中首片效应的方法，在对晶圆执行高温刻蚀工艺之前，先对工艺腔及晶圆载台进行预加热，使得工艺腔内环境以及晶圆载台快速升温至预设的工艺温度，接下来再将晶圆送入工艺腔执行刻蚀工艺，工艺腔及晶圆载台的温度稳定在预设的工艺温度，对刻蚀液的刻蚀速率影响基本持平，同一批晶圆的刻蚀厚度基本一样，消除了传统高温刻蚀工艺升温阶段产生的首片效应以及工艺误差。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936399 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202210319328.4
(22)申请日 2022.03.29
(71)申请人 盛美半导体设备(上海)股份有限公
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