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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-10-25 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述一种半导体结构，包括：层叠设置的衬底、第一结构和第二结构；所述第一结构包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一晶体管源极、第一晶体管沟道、第一晶体管栅极和第一晶体管漏极，所述第二晶体管包括第二晶体管源极、第二晶体管沟道、第二晶体管栅极和第二晶体管漏极，所述第一晶体管沟道为凹字型结构，第一晶体管栅极位于第一晶体管沟道的凹型结构内，所述第二晶体管沟道为凹型结构，第二晶体管栅极位于第二晶体管沟道的凹型结构内；第二结构，所述第二结构包括第一连接线，所

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116940111 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202210369163.1 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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