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本发明提供一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构。TR模块腔体正面设置射频芯片、射频供电板等模块常用分部件,并通过盖板密封;TR模块背面设置低频供电控制板。TR模块背面低频供电控制板和正面射频供电板通过HTCC垂直过渡结构互连。HTCC垂直过渡结构采用高温共烧多层陶瓷工艺(HTCC),垂直过渡结构层数和厚度根据TR模块实际设计而定。HTCC垂直过渡结构顶层和底层设置有焊盘,分别通过金丝键合方式与背面低频供电控制板和正面射频供电板互连。HTCC垂直过渡结构各个同属性焊盘通过多层陶瓷工艺内部过孔和走
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116937213 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311170588.0 H04B 1/40 (2015.01)
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