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本申请公开了一种晶圆生产设备和晶圆生产工艺，涉及半导体技术领域。本申请的晶圆生产设备中用于冷却晶圆的冷却腔室中的气压可以一直维持在适于冷却的气压，不用反复充入、抽出保护气体。晶圆在进入（或送出）冷却腔室之前，只需要调节第一调节腔室（或第二调节腔室）的气压，一次抽气、充气就可以完成一片晶圆的传递，效率较高，镀膜完成的晶圆可以以较短地时间间隔依次进入冷却腔室，而冷却腔室也可以同时冷却多个晶圆，因此可以提高生产效率。本申请提供的晶圆生产工艺能够高效地对晶圆进行冷却，可提高晶圆的生产效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936421 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311190246.5 C23C 16/54 (2006.01)
(22)申请日 2023.09.
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