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- 2023-10-25 发布于四川
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本申请公开了一种半导体光敏器件，包括：半导体层；光敏区，暴露于所述半导体层的第一表面；场氧化层，位于所述半导体层的第一表面，且暴露出至少部分的所述光敏区；减反射层，位于所述半导体层的第一表面，覆盖所述光敏区、所述场氧化层的表面和侧壁；刻蚀停止层，位于所述减反射层上，暴露出所述减反射层位于所述光敏区上方的至少部分；电极结构，至少位于所述刻蚀停止层上，位于所述刻蚀停止层上的电极结构贯穿所述刻蚀停止层以及所述减反射层与所述半导体层接触。本申请在减反射层和电极结构之间增加一层刻蚀停止层，既能得到尺寸均匀
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219892189 U
(45)授权公告日 2023.10.24
(21)申请号 202321176852.7
(22)申请日 2023.05.12
(73)专利权人 杭州士兰集成电路有限公司
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