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CVD 生长的二硫化钼单层的形貌和KPFM 二硫化钼Molybdenum disulfide (MoS )是最常被研究的类石墨烯2D 材料之一[1]。 原子厚 2 的MoS 是一个具有独特电气[2]，光学[3]，和机械 [4]特性的半导体，使其成为压电 [5]， 2 光伏[6,7]和其它光电应用的有用材料[8]。 在本应用中，使用Flex-Axiom 的开尔文探针力显微镜 (KPFM)对通过化学气相沉积 （CVD ）生长; max-width:50%; SiO 基板上单层MoS 的光学显微照片 (插图) 单个 MoS 单层 2 2 2 通过化学气相沉积在硅基板上生长单层MoS 。 2 样品提供: 伊利诺伊大学 – 厄巴纳-香槟分校 a) 单个MoS 单层的AFM 地形图。测量的位置是红线标注的地方. 2 b) 越过单层的高度(上图)和KPFM 电压(下图