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一种电阻式内存单元阻丝成型方法，包括：在第一阶段成型，以包括栅极与漏极电压的第一偏压施加多次到电阻式内存单元。当第一阶段成型进行至读取电流达到第一饱和状态，锁存第一饱和状态的读取电流为饱和读取电流，判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值。当饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，执行第二阶段成型，施加第二偏压多次到内存单元，直到电阻式内存单元的读取电流达到第二饱和状态，锁存所述第二饱和状态的所述读取电流为所述饱和读取电流，并判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值，第二偏压为增加栅极电压并且降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116935924 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202210339227.3
(22)申请日 2022.04.01
(71)申请人 华邦电子股份有限公司
地址 中国
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