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一、单选题 1.下列器件中， ()出现是电力电子技术诞生的标志 A: 晶体管 B: 晶闸管 C: 水银整流器 D:IGBT 2.下列器件中，()是MOSFT和GTO 的复合，目前也取得了相当的成功，已经获 得大量应用 A: 电力二极管 PD B: 晶闸管 C:IGCT D:IGBT 3.下列器件中， ( ) 是MOSFET和GTR 的复合，是目前的主导器件，其模块 在我国高铁控制装置中应用普遍，是核心器件 A: 电力二极管 PD B: 晶闸管 C: IGCT D:IGBT 4.为了减小( ),软件开关技术便应运而生 A: 通态损耗 B: 断态损耗 C: 导通压降 D: 开关损耗 5.电力电子技术在电化学中的应用，如电解铝、电解食盐水、电镀装置中都需要 用到( ) 技 术 A: 整流 B: 逆变 C: 变频 D: 直流斩波 6.电气化铁道中广泛应用电力电子技术。电气机车中的交流机车采用( )装 置 A: 整流 B: 逆变 C: 变频 D: 直流斩波 7.高压直流输电中，其送电端(从电厂出来的一端)采用电力电子中的( ) 技术 A: 整流 B: 逆变 C: 变频 D: 直流斩波 8.高压直流输电中，其受电端(进用户前的一端)采用电力电子中的( ) 技 术 D: DC-DO A: 整流 B: 有源逆变 C: 变频 D: 直流斩波 9.电力电子技术把“粗电”变“精电”,它首先是电源技术，同时也被称作( ) A: 整流 B: 逆变 C: 节能 D: 变频 10.电力二极管属于( ) 器 件 A: 不可控 B: 半控 C: 全控 D: 双向可控 11.IGBT属 于 ( )型器件 A: 不可控 B: 半控 C: 全控 D: 双向可控 12.交流调压是一种( ) 变 换 A: AC-AC B:AC-DC C:DC-AC D:DC-DC 13.可关断晶闸管简称 A:MOSFET B:GTR C:IGBT D:GTO 14.绝缘栅双极型晶体管简称 A:MOSFET B:GTR C:IGBT D:GTO 15.IGBT是一个复合型的器件，它是( ) A:GTR 驱 动 的 MOSFET B:MOSFET 驱 动 的GTR C:MOSFET 驱动的晶闸管 D: MOSFET 驱 动 的GTO 16.直流斩波是一种( )变换 A:AC-AC B:AC-DC C:DC-AC 17.电力晶体管简称( ) A:MOSFET B:GTR C:IGBT D:GTO 18.整流是一种( ) 变 换 A:AC-AC B:AC-DC C: DC-AC D:DC-DC 19.交流电力控制变频、变相是一种( ) 变 换 A:AC-AC B:AC-DC C:DC-AC D: DC-DC 20.逆变是一种( ) 变 换 A:AC-AC B:AC-DC C:DC-AC D:DC-DC 21.下列器件中， ( )是单极型器件 A: 晶 闸 管 B:GTO C: MOSFET D: IGBT 22.下列器件中， ( )是复合型器件 A: 晶 闸 管 B:GTO C: MOSFET D:IGBT 23.下列器件中， ( )是通流能力最大的全控型器件 A:GTO B:GTR C: MOSFET D:IGBT 24.某电力二极管额定电流为200A, 那么考虑2倍裕量，在电路中允许长期流过 的实际电流的有效值I 为 ( ) A:100A B:157A C:200A D:400A 25.下面可以触发晶闸管导通的方式中， ( )是最精确、迅速而可靠的控制 手段 A: 门极触发 B: 阳极电压上升率过高 C: 结温较高 D: 光触发 26.若要使得已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使晶闸管 的电流降到( ) 以 下 A: 额定电流 B: 掣住电流 C: 维持电流 D: 触发电流 27. ( )的作用是将交流电变为直流电供给直流用电设备。 A: 整流电路 B: 逆变电路 C: 直流斩波 D: 变频电路 28.单相半波可控整流电路带纯电阻负载工作，如果变压器副边电压相有效值 U2=200V, 触发角α=60°,那么输出直流电压平均值为( ) V A:44.5 B:67.5 C:90 D:100 29.在单相半波相控带电阻性负载的整流电路中，若控制角为60°,则晶闸管的 导通角为( ) A:30° B:60° C:90° D:120° 30.单相可控半波整流电路接感性负载时，通常需要并联 防止产生负半周电 压波形。 A: 续流二极管 B: 晶闸管 C: 门极可关断晶闸管 D: 电力晶体管 31.单相可控整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向电压为