β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的研究.docxVIP

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2023-10-27 发布于北京
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β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的研究.docx

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β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的研究 β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的研究引言：肖特基势垒二极管是一种半导体器件，利用金属和半导体之间的肖特基势垒形成的PN结构，通过控制势垒的高度和宽度来控制电流。β-Ga2O3（beta-Ga2O3）是一种新兴的宽带隙半导体材料，具有较高的击穿场强和较高的载流子迁移率，因此被广泛研究作为肖特基势垒二极管的材料。本文将对β-Ga2O3基肖特基势垒二极管的研究进行探讨。一、β-Ga2O3材料的性质β-Ga2O3是一种手性空间群为C2V的正交结构氧化物，具有宽大的直接能隙（约4.8电子伏特）和较小的有效质量。这使得β-Ga2O3