氮化硼、硼碳氮纳米管的制备及其生长机理的研究的中期报告.docxVIP

氮化硼、硼碳氮纳米管的制备及其生长机理的研究的中期报告 本研究的目标是制备氮化硼、硼碳氮纳米管并研究它们的生长机理。截止到目前，我们已经完成了如下研究工作： 1.氮化硼制备 我们采用了直接化学气相沉积法（CVD）进行氮化硼的制备。首先，我们将硼酸枸橼酸溶液涂覆在SiO2/Si基底上，然后将样品置于氨气流中进行热处理。研究结果表明，在950℃的条件下，氮化硼的纳米管长大约为10μm，直径约为50nm。进一步的实验表明，氨气流的温度和浓度对氮化硼纳米管的尺寸和形态有重要影响。 2.硼碳氮纳米管制备 在氢气和乙烯的共存下，我们采用热化学气相沉积法（CVD）制备了硼碳氮纳米管。实验表明，在750℃的条件下，硼碳氮纳米管的生长速率约为1μm/s。当乙烯的流量增加时，纳米管的尺寸也逐渐增大。 3.生长机理研究 我们进一步研究了氮化硼和硼碳氮纳米管的生长机理。研究结果表明，硼碳氮纳米管的生长是由碳和氮在管内反应所产生的碳氮团簇促进的。而氮化硼纳米管生长的本质是SiO2/Si基底表面上形成的活性出露端和气相中的硼、氮原子之间的反应所导致的。 未来，我们还将继续深入研究氮化硼、硼碳氮纳米管的制备及其应用。