镀铜工艺流程说明.pptVIP

电镀定义: 电镀(electroplating)是--电沉积的过程(electrodepos- ition process)， 是利用电极(electrode)通过电流，使金属附着于物体表面上， 其目的是改变物体表面状态、特性、尺寸等。 电镀目的： 孔内镀铜，导通电路 ;基板（标准式样） 　　板厚1.0mm／通孔径0.30mm 　 激光孔径100-120um／深60-70um 　　要求镀铜厚度　　孔内13μm;化学镀铜工程;目的：溶胀环氧树脂，使其软化，为高锰酸钾去钻污作准备。 药液：溶胀液、NaOH 反应： 环氧树脂是高聚形化合物，具有优良的耐蚀性。 其腐蚀形式主要有溶解、溶胀和化学裂解。 根据“相似相溶”的经验规律，醚类有机物一般极性较弱，且有与环氧树脂有相似的分子结构（R-O-R‘），所以对环氧树脂有一定的溶解性。 因为醚能与水发生氢键缔合，所以在水中有一定的溶解性。 因此，常用水溶性的醚类有机物作为去钻污的溶胀剂。 溶胀液中的氢氧化钠含量不能太高，否则，会破坏氢键缔合，使有机链相分离。;去钻污;目的：去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰 反应： 锰离子是重金属离子，它的存在会引起“钯中毒”，使钯离子或原子失去活化活性，从而导致孔金属化的失败。 因此，化学沉铜前必须去除锰的存在。 在酸性介质中： 3MnO42-+4H+ = 2MnO4-+MnO2(↓)+2H2O　 2MnO4- +5C2O42-+16H+ = 2Mn2++10CO2(↑)+8H2O　 C2O42-+MnO2+4H+ = Mn2++2CO2 (↑) +2H2O 由以上反应可知，通过还原步骤，可完全去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰。;;;;基板的孔壁上形成Pd的活化中心，这是化学沉铜的先决条件 　　(1)　CuSO4 ?5H2O 主要反应物 　　(2) HCHO　　　　　　主要反应物 　　(3)　NaOH　　　　　　 氧化还原速度的控制　;;极间距离 75mm;①;;TH孔不良;Via孔不良;3、F-Mode—树脂残留电镀定义: 电镀(electroplating)是--电沉积的过程(electrodepos- ition process)， 是利用电极(electrode)通过电流，使金属附着于物体表面上， 其目的是改变物体表面状态、特性、尺寸等。 电镀目的： 孔内镀铜，导通电路 ;基板（标准式样） 　　板厚1.0mm／通孔径0.30mm 　 激光孔径100-120um／深60-70um 　　要求镀铜厚度　　孔内13μm;化学镀铜工程;目的：溶胀环氧树脂，使其软化，为高锰酸钾去钻污作准备。 药液：溶胀液、NaOH 反应： 环氧树脂是高聚形化合物，具有优良的耐蚀性。 其腐蚀形式主要有溶解、溶胀和化学裂解。 根据“相似相溶”的经验规律，醚类有机物一般极性较弱，且有与环氧树脂有相似的分子结构（R-O-R‘），所以对环氧树脂有一定的溶解性。 因为醚能与水发生氢键缔合，所以在水中有一定的溶解性。 因此，常用水溶性的醚类有机物作为去钻污的溶胀剂。 溶胀液中的氢氧化钠含量不能太高，否则，会破坏氢键缔合，使有机链相分离。;去钻污;目的：去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰 反应： 锰离子是重金属离子，它的存在会引起“钯中毒”，使钯离子或原子失去活化活性，从而导致孔金属化的失败。 因此，化学沉铜前必须去除锰的存在。 在酸性介质中： 3MnO42-+4H+ = 2MnO4-+MnO2(↓)+2H2O　 2MnO4- +5C2O42-+16H+ = 2Mn2++10CO2(↑)+8H2O　 C2O42-+MnO2+4H+ = Mn2++2CO2 (↑) +2H2O 由以上反应可知，通过还原步骤，可完全去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰。;;;;基板的孔壁上形成Pd的活化中心，这是化学沉铜的先决条件 　　(1)　CuSO4 ?5H2O 主要反应物 　　(2) HCHO　　　　　　主要反应物 　　(3)　NaOH　　　　　　 氧化还原速度的控制　;;极间距离 75mm;①;;TH孔不良;Via孔不良;3、F-Mode—树脂残留