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半导体结构和半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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半导体结构和半导体结构的制备方法.pdf

    本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，半导体结构包括：衬底，源极结构、沟道结构和漏极结构，源极结构、沟道结构和漏极结构均位于衬底上，源极结构和漏极结构通过沟道结构连接；其中，沟道结构的材料的禁带宽度小于源极结构和漏极结构的材料的禁带宽度。沟道结构的材料的禁带宽度较小，使得沟道结构的载流子的迁移率较高；另外，源极结构和漏极结构的材料的禁带宽度较大，可以降低源极结构、漏极结构与衬底之间形成的PN结附近的导带和价带间的空穴隧穿几率，从而改善结漏电现象，提升半导体结构的性能。因此，本申请提供的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116960158 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202210380025.3 (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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