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- 2023-10-28 发布于四川
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提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:位线;沟道图案,包括位线上的水平沟道部分和从水平沟道部分竖直突出的竖直沟道部分;字线,在水平沟道部分上,并且在竖直沟道部分的侧壁上;以及栅极绝缘图案,在字线与沟道图案之间。沟道图案包括氧化物半导体,并且包括顺序堆叠的第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层。第一沟道层至第三沟道层包括第一金属,并且第二沟道层还包括与第一金属不同的第二金属。第一沟道层的至少一部分接触位线。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116960156 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202310078180.4 H10B 63/00 (2023.01)
(22)申请日 2023.01.
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