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半导体多层结构.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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半导体多层结构.pdf

    根据本公开，提供了半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)，所述半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)包括：基材(5,7,17)和半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)。该基材包括由Ge制成的层(2,24)；以及该半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)包括至少一个第一层和至少一个第二层。至少一个第一层由选自下组的材料构成：AlxGai‑xAs，其中x为约0.6，AlxGa1‑x‑yInyAs，其中0≤x≤0.6且0≤y≤0.02，AlxGa1‑x‑yIn

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111095578 A (43)申请公布日 2020.05

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