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一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤x

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108231960 A (43)申请公布日 2018.06.29 (21)申请号 20181

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