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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括沟道层、在沟道层上的栅极元件、至少部分地嵌入沟道层中的多个源极/漏极元件。多个源极/漏极元件位于栅极元件的相对两侧。多个源极/漏极元件包括金属元件和下硅化物元件，下硅化物元件介于金属元件和沟道层之间。下硅化物元件具有小于2at％的氢含量。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116960171 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202210378793.5 (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人 联华电子股份有限公司 地址 中国

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