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- 2023-10-28 发布于四川
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本文可以提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置可以包括：子块绝缘层，其插置在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构之间；多个导电图案，其层叠在第一选择栅极结构和第二选择栅极结构上以彼此间隔开；以及沟道结构，其穿透第一选择栅极结构和第二选择栅极结构中的一个以及多个导电图案，该沟道结构包括位于在子块绝缘层和多个导电图案之间的高度处的拐点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116963500 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202310084957.8
(22)申请日 2023.01.18
(30)优先权数据
10-2022-0051738
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