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具有栅极连接栅格的垂直晶体管.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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具有栅极连接栅格的垂直晶体管.pdf

    在一个总体方面，一种半导体器件(100)可包括设置在半导体区的有源区(110)中的多个垂直晶体管段(200,300)。该多个垂直晶体管段可包括相应栅电极(206b,306b)。第一电介质(415,915,1015)可设置在该有源区上。导电栅格(130,230,330,430,630,930,1030)可设置在该第一电介质上。该导电栅格可以使用穿过该第一电介质形成的多个导电触点(430a,630a,930a,1030a)与相应栅电极电耦接。第二电介质(925)可设置在该导电栅格和该第一电介质上。导

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116964750 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202280019458.4 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限

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