第9章 MOS管理课件.pptVIP

第9章MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2 MOS晶体管的阈值电压分析1-3 MOS晶体管的电流方程1-4 MOS晶体管的瞬态特性1第9章 MOS管理 第一章MOS晶体管工作原理 1-1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2 MOS晶体管的阈值电压分析1-3 MOS晶体管的电流方程1-4 MOS晶体管的瞬态特性补充：1-5 MOS晶体管的其它电学参数12第9章 MOS管理 1-1-1??MOS晶体管的基本结构MOS晶体管: 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 MOSFET基本结构：栅,源区 ,漏区,沟道区主要结构参数：沟道长度L沟道宽度W 栅氧化层厚度tox源漏区结深 Xj3第9章 MOS管理 MOS晶体管4第9章 MOS管理 1-1-2 MOS管基本工作原理 工作原理--栅压控制器件 Vgs=0，截止0 Vgs V t，截止(沟道表面耗尽、弱反型）Vgs V t 开启 情况1：Vds=0 情况2： Vds0 转移特性曲线 (漏级电流，栅压，漏压，阈值电压）输出特性曲线(I-V曲线)截止区，线性区，饱和区，击穿区问题：为什么MOS晶体管也叫单极晶体管？ 5第9章 MOS管理 三维能带图6第9章 MOS管理 1-1-3 MOS晶体管的分类 按导电类型：NMOS管： N沟道 MOS晶体管PMOS管： P沟道 MOS晶体管按工作机