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一种QWIP器件的分子束外延生长方法.pdfVIP

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  • 2023-11-01 发布于四川
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一种QWIP器件的分子束外延生长方法.pdf

    本发明提供一种QWIP器件的分子束外延生长方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：根据AlxGa1‑xAs层中的组分x，确定铝分子束流速率以及镓分子束流速率；选择两个镓源炉；根据极角θAl和极角θGa2，针对VGa1的多个不同取值，分别计算均匀性指标值，并将最小指标值对应的VGa1的值作为选定值；将第一镓源炉的束流速率稳定为选定值，将第二镓源炉的束流速率稳定为VGa减选定值的差值。通过采用两个镓源炉来提供镓分子束，并通过计算均匀性指标值来选取第一镓源炉的最优束流速率，进而得到第二镓源炉的束流速

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978984 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202311237686.1 (22)申请日 2023.09.25 (71)申请人 新磊半导体科技（

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