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相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备.pdfVIP

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  • 2023-11-01 发布于四川
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相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备.pdf

    本申请提供了一种相变材料、相变存储芯片、存储设备和电子设备。该相变材料包括M‑Bi‑Se合金材料，所述M选自碳族元素或硼族元素。其中，该相变材料具有更短的晶化时间，更低的晶态和非晶态的密度变化差异，进而提高相变存储器的响应速度，延长相变存储器的使用寿命。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116981347 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202210417407.9 (22)申请日 2022.04.20 (71)申请人 华为技术有限公司 地址 5181

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