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一种降低单晶硅氧含量的方法及晶棒.pdfVIP

一种降低单晶硅氧含量的方法及晶棒.pdf

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    本申请提供一种降低单晶硅氧含量的方法及晶棒。本申请的方法包括：在化料、复投、熔接、引晶、扩肩、转肩以及等径的任意一个或几个步骤中通入氢气；在引晶、扩肩、转肩的过程中将坩埚转速从第一埚转调整至第二埚转，并在扩肩过程中降低温度，在转肩过程中保持该温度不变在等径步骤中坩埚转速从第二埚转调整至第三埚转，并继续降低温度，直至收尾结束；在化料、复投、熔接、引晶、扩肩、转肩以及等径的任意一个或几个步骤中还需通入氩气。本申请能够通过氢还原法来降低晶棒中的氧含量，有利于单晶生长，减少不良品产生，提高晶棒产品质量。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116971023 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310476382.4 C30B 15/20 (2006.01)

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