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- 2023-11-01 发布于四川
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本发明公开了一种镀膜钢化玻璃、电磁屏蔽玻璃及ITO膜层制备方法，包括以下步骤：将玻璃原片进行钢化；取用S1中得到的钢化玻璃，采用磁控溅射仪对钢化玻璃进行SiO2镀膜；取用S2中得到的镀膜钢化玻璃，采用磁控溅射仪对镀膜钢化玻璃的SiO2镀膜进行ITO镀膜；靶材为In2O3:Sn02＝5～9:1且经过热处理的陶瓷靶，纯度为99.9％及以上，基片温度为280～400℃，时间为0.5～1.5h，溅射气压0.8～1.0Pa，溅射功率180～200W，氩气与氧气的流量比为45:1，氧气流量为7～9sccm，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116969692 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310711268.5 B32B 5/02 (2006.01)
(22)申请日 2023.06.1
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