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本公开涉及一种制造半导体器件的方法，在包括在第一方向上彼此平行地延伸且彼此间隔开的第一区域和第二区域的框架构件中，第一镀膜和第二镀膜分别被形成在第一区域和第二区域中。第二镀膜与第一镀膜在类型上是不同的。然后，对包括第一区域和第二区域的框架构件执行冲压过程，从而形成包括多个引线的引线框架。引线框架包括第一引线组和第二引线组。在第一引线组中形成第一镀膜，但是在第一引线组中不形成第二镀膜。同时，在第二引线组中形成第二镀膜，但在第二引线组中不形成第一镀膜。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116978790 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310420398.3
(22)申请日 2023.04.19
(30)优先权数据
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