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本发明涉及一种低烧损的高硅铝合金熔炼工艺，采用分段控温，分批加硅的方式，在加硅前铝液温度控制在当前铝液成分相应的熔点以上20～30℃，确保加入硅后，通过硅吸收热量使铝液温度降至加硅前熔点以下，以形成半固态糊状熔体，并充分包裹硅块，与铝水充分润湿，且由于铝水粘度增大，不易上浮，减少硅的氧化烧损。加完硅后铝液升高至加硅后铝液成分对应的熔点以上40～80℃，促使硅快速熔化，且让铝水尽可能处于较低的温度，减少铝的烧损。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116970821 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310421166.X
(22)申请日 2023.04.19
(71)申请人 福建科源新材料股份有限公司
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