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本申请公开了电路的温度容忍性输入级。电路的输入级(102、104)的示例被配置为降低其中的PMOS晶体管中的负偏置温度不稳定性(NBTI)和正偏置温度不稳定性(PBTI)两者。电流开关PMOS源极跟随器晶体管M3、M5和低侧NMOS差分对M7、M8用于处理电路的轨到轨输入信号范围的较低范围。PMOS源极跟随器M3设置在电路的正输入和低侧NMOS差分对M7、M8的正输入之间。另一个PMOS源极跟随器M5设置在电路的负输入和低侧NMOS差分对M7、M8的负输入之间。提供各种布置以生成和维持两个PMO
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116979903 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310485523.9
(22)申请日 2023.04.28
(30)优先权数据
17/731,730 2022
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