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本发明提供一种获取晶圆潜在weakpoint的方法，提供原始光罩层图形，将光罩层图形各边分别以设置比例扩大及缩小获取第一、二光罩层图形；分别利用第一、二光罩层图形获取其在光刻胶层上的第一、二显影后图形；利用第一、二显影后图形获取两者关键尺寸差距大于预设值的图形位置，之后根据图形位置获取原始光罩层图形对应处的图形为MEEF值超标图形；标记出MEEF值超标图形以及光刻工艺窗口小于目标值的图形为光刻weakpoint。本发明能够筛选出所有光罩图形中MEEF较大的图形，并结合光刻工艺窗口参数确定光刻工
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116977306 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310946088.5
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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