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- 2023-11-01 发布于四川
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本发明公开了一种LED芯片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供外延结构并将其放置于反应室内，所述外延结构包括P型半导体层；在所述P型半导体层上制作电流阻挡层；在所述P型半导体层上制作透明导电层，使所述透明导电层覆盖至少部分的所述电流阻挡层；向反应室内通入等离子气体，在预设条件参数下，使露出的P型半导体层表面形成肖特基界面层；其中，通入等离子气体用于对P型半导体层的裸露区域进行处理，在露出的P型半导体层表面形成肖特基界面层，以在芯片制作时与芯片电极形成非欧姆接触。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116978990 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202311236558.5 H01L 33/38 (2010.01)
(22)申请日 2023.09.
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