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本发明提出了一种eFuse烧写方法，包括以下步骤：步骤1，将所述的eFuse存储器，划分为引导区、数据区和校验区；步骤2，从eFuse存储器读取数据或向eFuse存储器写入数据；其中，向eFuse存储器写入数据时，判断是否为首次写入数据或非首次写入数据即修改数据，若为首次写入数据则采用写数据方法，若为修改数据则采用修改数据方法；步骤3，重复步骤2，直至完成eFuse存储器中所有数据的烧写。本发明提供了可配置的数据区，固定不需要改写的数据配置值为1，需要更改的数据配置值可根据需要设置大小，提供了双
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116978435 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310919516.5
(22)申请日 2023.07.25
(71)申请人 杭州万高科技股份有限公司
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