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提高发光二级管中GaN材料质量的技术研究的中期报告 本研究正在探索提高发光二级管中GaN材料质量的技术方法。在前几个月的实验中，我们已经成功实施了一些关键的步骤。 首先，我们使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长GaN晶体。我们通过调整生长温度和流量比等条件来优化GaN材料的质量。实验结果表明，在高温（1100℃）下，以5:1的氨气和快速的生长速率（0.6μm/min）的条件下，所得到的GaN材料具有最优的材料质量，其中晶体质量优良，缺陷密度较低，表面平整度高。 接下来，我们对GaN材料进行了室温等离子体（ARP）处理，以进一步提高其发光性能。通过对ARP处理参数进行优化，我们成功地制备了具有高亮度的发光二级管。 此外，我们还在GaN材料表面引入了点缺陷，以刻画GaN材料中界面纯度和电学性能之间的关系。通过电学测试，我们发现点缺陷有助于提高材料的电学性能，从而提高了发光二级管的效率和稳定性。 总之，我们取得了一些令人鼓舞的进展，这些进展将为提高发光二级管中GaN材料质量和性能的研究提供基础。