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面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术介绍 近日，“2023功率与 光电 半导体器件设计及集成应用 论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（casmita）、第三代半导体产业主办，西安 电子 科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。 期间，中国电子科技集团第四十六研究所高级 工程师霍晓青做了“面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术”的主题报告。 Ga2O3 共有五种晶相：α、β、γ、δ、ε，相互之间在特定条件下会有相变发生，其中β-Ga2O3是最稳定的相。可用熔体法生长，具备大尺寸、低缺陷、低成本等优点，是最有可能率先实现产业化的超宽带半导体材料。日本富士经济预测，到2025年，Ga2O3功率器件的市场规模将达到700亿日元左右，衬底及外延占总规模50%计算，预计350亿日元，约为2500万美元。我国“十四五”总体规划以及各专项规划也分别将Ga2O3半导体材料纳入发展重点。 从国内外氧化镓发展来看，2014年，采用CZ法成功生长出2英寸Mg掺杂氧化镓单晶，该方法不适用于高掺杂N型晶体，铱金坩埚成本高。EFG法可以实现大尺寸氧化镓单晶生长，可以实现低阻、高阻掺杂，生