大家能Get到DCDC高端NMOS的自举秘诀吗？.docxVIP

第 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 1 页 大家能Get到DCDC高端NMOS的自举秘诀吗？  NMOS管的主回路（电流）方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VSVTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VGVTH。  故一般把NMOS作为下管，S极接地，只要给G极一定电压即可控制其导通关断；把PMOS作为上管，S极接V IN ，G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管，但需要增加自举（驱动电路）。  对于一些拓扑，比如Buck、Boost、Buck-Boost这些用NMOS作为上管的拓扑，就没办法直接用刚才说的只给G极一个电平来驱动。假如此时D极接V IN ，S极的电压不定，NMOS管截止时为低电平，导通时接近高电平V IN ，需要板子上给G极一个更高的电压，但此时板子已无比VIN更高的电平了，那么就可以采用自举驱动电路。   如图为用于驱动上MOS管的（电容）自举驱动电路。该自举电容通过（二极管）接到VCC端，下接上MOS管的S极。当驱动电路驱动下MOS管导通时，VCC通过二极管、RBOOT、下MOS管，对CBOOT充电。  充电时间为下MOS管的导通时间，我们定为Toff（上MOS管）；当下管关断后，驱动电路导通上MOS管，CBOOT的下端电压变为V IN ，由于电容两端电压不能突变，所以CBOOT上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压，就能保持上管持续导通，此时VBOOT的电压通过RBOOT和内部电路放电，放电时间为Ton（上MOS管）。   自举电容充电过程如图：  下MOS管导通时开始充电，充电电压对时间的关系如公式一所示：  Vcboot_max = V0 + VCC x [1–exp (-Toff/RC)]；  充电电流对时间的关系如公式二所示：  I = CdU/dT = C x △Vcboot/Toff。   接下来看一下其放电过程：上MOS管导通时开始放电，放电电压对时间的关系如公式三所示：  Vcboot_min = exp [ -Ton/ (Rtotal x C) ] x Vcboot_max  放电电流对时间的关系如公式四所示：  I = CdU/dT = C x △Vcboot/Ton  至此我们已经掌握自举驱动电路的“窍门”。  应该如何正确地选择合适的电容、（电阻）呢？  电容的选型主要基于其耐压值和容量大小。耐压值要大于等于VCC减去二极管和下MOS管的导通电压。驱动电路上有其他功耗器件由该电容（供电），所以要求电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。  由以上限制和公式三可推出需要Ton  图注：自举电阻为0Ω时，SW的测试波形  将电阻增大到45Ω时，可以明显看出自举电阻越大，SW波上升斜率越小，同时SW的尖峰越小，验证了前面的结论。   图注：电阻增大到45Ω时，SW的测试波形