多晶硅中杂质的去除及硼的分析方法研究的中期报告.docxVIP

多晶硅中杂质的去除及硼的分析方法研究的中期报告 本中期报告主要介绍了多晶硅中杂质的去除和硼的分析方法研究的进展情况。 一、多晶硅中杂质的去除 多晶硅晶体生长过程中，常会含有不同种类的杂质，如金属、非金属元素等，这些杂质会降低多晶硅的纯度和品质，因此需要进行去除。目前常用的多晶硅中杂质去除方法主要包括氧化还原法、酸洗法、溶剂法等。其中，氧化还原法是一种较为有效的多晶硅杂质去除方法，其基本原理是利用氧化剂氧化多晶硅中的杂质，再利用还原剂将氧化产物还原为易挥发的气体，从而达到去除杂质的目的。酸洗法主要是利用稀硝酸或浓盐酸将多晶硅表面的杂质溶解，达到去除杂质的目的。溶剂法则是利用有机溶剂将多晶硅中的杂质物质溶解或脱附出来。 二、硼的分析方法研究 硼是多晶硅中常见的掺杂元素之一，其含量对于多晶硅的性质和电学性能有较大影响，因此需要对硼的含量进行精确分析。目前，硼的分析方法主要包括电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、原子吸收光谱法(AAS)、X射线荧光分析法(XRF)等。其中，ICP-MS是一种高灵敏度、高准确度、多元素分析的方法，对于多晶硅中微量硼元素的测定具有很高的应用价值；AAS和XRF则是常用的光学谱学方法，能够准确、快速地测定多晶硅中的硼含量。 以上是本中期报告的简要内容，研究人员将继续深入研究多晶硅中杂质的去除和硼的分析方法，为多晶硅制备和应用提供技术支持和保障。