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本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底及基底上的介质层，介质层内具有贯穿介质层的通孔；形成初始金属层，初始金属层覆盖通孔的内壁，且还位于介质层顶面；进行至少一次循环步骤，每一循环步骤包括：在初始金属层上沉积与初始金属层具有相同金属元素的金属阻挡层；对金属阻挡层进行氮化处理，以向金属阻挡层内掺杂氮元素；至少一次循环还对部分初始金属层进行氮化处理，以向部分初始金属层内掺杂氮元素，在所有循环步骤后，剩余初始金属层作为金属层，掺杂有氮元素的初始金属层及金属阻挡层转换为金属氮化物层；形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116995028 A
(43)申请公布日 2023.11.03
(21)申请号 202310931532.6
(22)申请日 2023.07.25
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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