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碳化硅半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-11-04 发布于四川
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碳化硅半导体装置.pdf

    以将栅极电极(8)的一部分热氧化而形成的热氧化膜(10a)作为第1层间绝缘膜而进行栅极电极(8)与源极电极(12)的绝缘。通过将栅极电极(8)的一部分热氧化而构成的热氧化膜不成为从SiC表面过于突出的形状，因此不易产生由伴随温度变化等的应力引起的裂纹。因此，能够确保栅极－源极间的绝缘分离。另外，第2层间绝缘膜(11)通过回蚀而从源极区域(4)及基体区域(3)的接触区域之上被去除。因此，在隔着栅极电极(8)的两侧，能够可靠地进行源极电极(12)的接触。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111149214 A (43)申请公布日 2020.05.12 (21)申请号 201880

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