常用芯片数据手册p8006edg1.pdfVIP

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2023-11-07 发布于北京
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D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE -55V 80m Ω -8A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE UM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC = 25 °C -7 Continuous Dra urrent ID T = 70 °C -6 C A Pulsed Dra urrent1 IDM -30 TC = 25 °C 28 Power Dissipation PD W T = 70 °C 18 C Operating Junction Storage Temperature Range T , T -55 to 150